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半导体激光器的工作原理

晶体是由p型半导体和n型半导体构成的n结,在界面的两侧形成空间电荷层,形成一个自建电场。当无外加电压时,n结两侧载流子浓度差引起的扩散电流等于自建电场引起的漂移电流,处于电平衡状态。
当外界存在正电压偏置时,外加电场与自建电场的相互作用使载流子扩散电流中的正电流增大。
当外部电压是相反的,外部电场和自建电场进一步加强,形成一个反向电流I0是独立的反向偏置电压值在一定的反向电压范围。
当外加反向电压达到一定程度时,n结空间电荷层中的电场强度产生载流子在临界值的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生大量反向击穿电流,称为二极管击穿现象。


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